中国科大应邀在《化学研究评述》撰写锑基半导体缺陷性质综述论文
点缺陷是凝聚态物理与材料科学中的一个经典核心问题，其研究贯穿了从早期半导体掺杂理论到现代光电器件工程的漫长历程。在传统光伏材料如硅、砷化镓中，点缺陷被证明是调控载流子浓度与寿命的重要手段。然而，随着新型光伏材料的不断涌现，点缺陷呈现出更为复杂且独特的特征。在多元化合物半导体中，反位缺陷、空位及杂质复合体的形成能差异巨大，导致缺陷类型从浅能级到深能级的丰富分布；同时，低维结构与各向异性晶格使得缺陷的电子局域化行为显著增强，形成与三维材料截然不同的复合中心。这些新特点使得对点缺陷的精准识别与调控，成为当前光伏领域新的物理、化学问题、也是锑基低维光伏材料的前沿科学问题。近日，中国科学技术大学化学与材料科学学院陈涛教授研究组应邀在《Accounts of Chemical Research》（《化学研究评述》）发表题为“Unique Defect Characteristics of Antimony Chalcogenide Photovoltaic Materials”的综述论文。该文系统梳理了锑基硫属化合物（Sb2S3、Sb2Se3及Sb2(S,Se)3）中本征点缺陷的物理起源、电子特性
